Electronic properties of heavily doped semiconductor nanostructures

Seminars

Bogoliubov Laboratory of Theoretical Physics

Seminar “Theory of Condensed Matter”

Date and Time: Tuesday, 17 May 2022, at 4:00 PM

Venue: Blokhinstev Hall (4th floor), Bogoliubov Laboratory of Theoretical Physics; online seminar on Zoom

Seminar topic: “Electronic properties of heavily doped semiconductor nanostructures”

Speaker: K.V. Reich (Ioffe Institute, St. Peterburg)

Abstract:

Используя ионные жидкости в качестве материала затвора полевого транзистора возможно индуцировать большую концентрацию электронов на поверхности различных материалов. В докладе рассмотрено действие таких электролитов на электронные свойства наноструктур, таких, как массивы квантовых точек и полупроводниковые тонкие пленки. Во многом эти свойства наследуют свойства объемных полупроводников, но в ряде случаев существенно отличаются. В частности, переход металл-диэлектрик в таких системах происходит при намного большей концентрации электронов, нежели в объемном материале, а характер проводимости существенно зависит от типа беспорядка, эффектов квантового конфайнмента, кулоновской блокады.