Численное моделирование примесей, входящих в вакансионные кластеры в графене на подложке из меди, железа, вольфрама, изучаемых методом позитронной аннигиляции
Семинары
Семинар по теории конденсированных сред
Дата и время: вторник, 30 июня 2020 г., в 16:00
Место: Онлайн конференция в Zoom, Лаборатория теоретической физики им. Н.Н. Боголюбова
Тема семинара: «Численное моделирование примесей, входящих в вакансионные кластеры в графене на подложке из меди, железа, вольфрама, изучаемых методом позитронной аннигиляции»
Авторы: А. А. Донков, Е. Попов, А. Олейничак, М. Н. Мирзаев, К. Сиемек, П . Хородек
Докладчик: А. А. Донков
Аннотация:
Измерения методом аннигиляции позитронов (ПАС) чувствительны к наличию дефектов в материалах. С помощью численного моделирования можно получить как время жизни позитрона, так и распределение импульсов электронов, т.е. те величины, которые можно сравнить с результатами экспериментов. В данной презентации мы покажем результаты таких расчетов для изучения дефектов, создаваемых облучением протонами и αчастицами в графене на подложке (модель), а также рассмотрим некоторые результаты, полученные для облученных образцов SiC (модель и эксперимент). В целом, получаемые из расчета времена жизни позитронов коррелируют с электронной плотностью на дефектах, с другой стороны мы видим и некоторые ограничения в используемом коде при обработке результатов для вакансий Si в SiC.