Аннотация:

Полупроводниковые детекторы широко используются в экспериментах ядерной физики и физики высоких энергий. Применение полупроводниковых детекторов может быть ограничено их предельной радиационной стойкостью. Увеличение концентрации радиационных дефектов приводит к существенному ухудшению рабочих параметров полупроводниковых детекторов.

Исследование свойств радиационных дефектов с целью повышения радиационной стойкости полупроводниковых детекторов является важной задачей для успешной реализации ряда экспериментов по ядерной физике.

На семинаре будет обсуждаться радиационная стойкость материалов, таких как алмаз, сапфир и CdTe. Также будут представлены результаты измерений CCE, I-V, C-V и зависимость от напряжения для различных доз (GaAs:Cr) и Si на ускорителе LINAC-200 и реакторе ИБР-2.