В докладе будут изложены основы постростового инжиниринга синтезированных монокристаллов алмаза (пластин) для создания в них азотно-вакансионных центров с помощью пучков заряженных частиц. Показаны возможности позитронной аннигиляционной спектроскопии для определения дефектов в таких пластинах, представлены работы по созданию квантовых измерительных приборов на их основе.