В докладе представлены результаты исследований наноструктурирования поверхности материалов электроники и энергетики при облучении быстрыми тяжелыми ионами (БТИ). Практический и фундаментальный интерес к радиационным эффектам на границах раздела обусловлен тем, что кинетика возбуждения поверхности мишени значительно отличается от процессов в массивных образцах вследствие возможного обмена частицами с окружающей средой.

Структурный отклик функциональных материалов на облучение БТИ изучался с помощью взаимодополняющих экспериментальных и численных методов: просвечивающей электронной микроскопии и мультимасштабного подхода, сочетающего Монте-Карло модель TREKIS и моделирование на основе молекулярной динамики. В работе обсуждаются различные стадии кинетики формирования отдельных ионных треков и последствия их перекрытия в некоторых аморфизующихся и неаморфизующихся твёрдых телах. Впервые изучены механизмы образования различных наноразмерных дефектов на поверхности: сферических кристаллических выступов, аморфных полусферических хиллоков, конических треков в приповерхностной области, протяженных структур при облучении под скользящими углами, а также сквозных наноканалов. Исследована модификация формы нанокристаллов диэлектриков при воздействии БТИ при высоких флюенсах облучения.