Автор представит основные результаты исследования влияния ионного облучения на структурные, химические и оптические свойства системы TiO₂/SiO₂, которые легли в основу его диссертационной работы. Работа посвящена исследованию процессов, вызывающих деградацию полупроводниковых солнечных элементов в процессе эксплуатации. Автором установлено, что индуцированный облучением ионами благородных газов процесс каскадного смешения ионов на переходе TiO₂ — SiO₂ ответственен за расширение переходного слоя между материалами преимущественно в направлении подложки. Установлено, что степень перемешивания ионов в области контакта не является пропорциональной величине структурных повреждений контактирующих материалов, тогда как энергия налетающих ионов, передаваемая атомам кристаллической решетки, играет решающую роль в расширении области перемешивания TiO₂/SiO₂. Показано, что увеличение концентрации TiO₂ после облучения приводит к увеличению величины распределенной в переходных слоях энергии и проявляется в виде расширения области негомогенности вблизи контакта. Установлен нелинейный экстремальный характер поведения оптических свойств контакта TiO₂/SiO₂ после облучения. В частности, показано, что показатель преломления и коэффициент экстинкции контакта TiO₂/SiO₂ повышаются при энергии имплантируемых ионов ниже 250 кэВ и снижаются при энергии имплантируемых ионов выше чем 250 кэВ.