Лаборатория ядерных реакций им. Г.Н. Флерова

Дата и время: четверг, 25 мая 2023 г., в 15:30

Место: Конференц-зал, Лаборатория ядерных реакций им. Г.Н.Флерова

1. Тема семинара: «Сечения образования изотопов радона и ртути в реакциях полного слияния с тяжелыми ионами ^{36, 40}Ar и ^{40, 48}Ca»

   Докладчик: Елена Чернышева (в связи с выборами на должность н.с.)

   Аннотация:
   
   Абсолютные сечения xn-испарительных каналов реакций полного слияния ¹⁴⁴Sm(⁴⁰Ar, xn)^{184 – x}Hg, ¹⁴⁸Sm(³⁶Ar, xn)^{184 – x}Hg, ¹⁴⁴Nd(⁴⁰Ca, xn)^{184 – x}Hg, ¹⁴²Nd(⁴⁸Ca, xn)^{190 – x}Hg и ¹⁶⁶Er(⁴⁰Ar, xn)^{206 – x}Rn были измерены с помощью модифицированного метода подвижных поглотителей. Для учета влияния энергетического разброса налетающего пучка тяжелых ионов на функции возбуждения испарительных остатков применялся метод деконволюции. Проведено сравнение измеренных функций возбуждения с теоретическими расчетами, полученными в модели связанных каналов.
   
   




2. Тема семинара: «Закономерности гелиевого распухания в ферритных сплавах»

   Докладчик: Нгуен Ван Тьеп (в связи с выборами на должность м.н.с.)

   Аннотация:
   
   Методом просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) изучены закономерности гелиевого распухания в трех разных типах сплавов ферритного класса: обычной стали AISI410S и двух экспериментальных дисперсно-упрочненных (ДУО) ЭП450 и Cr16 сплавов. Все образцы сталей были однородно легированы гелием ([He] = 0.2 и 1 ат.%) при комнатной температуре с последующим отжигом (Tотж=1073К – 30 мин.). ПЭМ-исследования выявили разные картины развития гелиевого пористости: бимодальное распределение пузырьков в образцах AISI410S и Cr16ДУО, и однородный по объему зерен рост пузырьков в образцах ЭП450ДУО. Показано, что рост объема пузырьков происходит по механизму миграции пузырьков и их слияния независимо от типа материалов. Объем газовых пузырьков увеличивается приблизительно линейно с увеличением их диаметров. Доказано, что площадь поверхности пузырьков, отнесенная к количеству атомов газа, содержащегося в них, не изменяется в процессе их термического роста, и для пузырьков гелия в феррите находится в диапазоне от 1×104 до 2×104 м²/моль. Установлена также зависимость давления газа от диаметров пузырьков при постоянной температуре, которая повторяет изотерму из уравнения состояния гелия и является гораздо более сильной, чем считалось ранее. В работе также показано, что нанооксиды, аморфизированные в результате облучения дисперно-упрочненной стали ионами ксенона высоких энергий являются эффективными центрами захвата пузырьков гелия по сравнению с аналогичными кристаллическими наночастицами.
   
   (по материалам кандидатской диссертации)