Дата и время: четверг, 15 декабря 2016 г., в 11:00

Место: Конференц-зал, Лаборатория ядерных проблем

Тема семинара: «Ультрафиолетовая фото- и оптоэлектроника суб-300 нм диапазона на основе гетероструктур широкозонных соединений Al_xGa_(1-x)N (x=0-1)»

Докладчик: д.ф.-м.н. Жмерик Валентин Николаевич, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, jmerik@pls.ioffe.ru

Аннотация:

На семинаре будут рассмотрены уникальные возможности гетероструктур на основе полупроводниковых широкозонных соединений AlGaN с максимальной шириной запрещенной зоны 6.1 эВ для исследований и производства высокоэффективных фотодетекторов и источников средневолнового (λ=200-300 нм) ультрафиолетового излучения (СУФ).

Основное внимание в докладе будут уделено различным эпитаксиальным технологиям роста гетероструктур (MOCVD, ПА МПЭ). Будут отражены специфические особенности роста слоев AlGaN c различной проводимостью. Специальное внимание в докладе будет уделено достижению дырочной проводимости в слоях AlхGa1-xN c высоким содержанием Al (x>0.3) – центральной проблеме реализации приборов УФ-фотоники с рабочей длиной менее 300 нм. Будет продемонстрирована эффективность решения этой проблемы с помощью т.н. поляризационного легирования слоев с изменяющимся содержанием Al, реализация которого позволила реализовать нам различные СУФ-фотодетекторы (p-i-n фотодиоды и фотокатоды) солнечно-слепого диапазона (λ<290 нм) с чувствительностью 10-35 мА/cм2.

Кроме фотоэлектронных приборов на семинаре будут представлены результаты по разработке и исследованиям источников спонтанного и лазерного СУФ излучения с использованием квантоворазмерных AlGaN гетероструктур. Будут представлены источники спонтанного СУФ-излучения с электронной накачкой и выходной импульсной (постоянной) мощностью до ~160(30) мВт, а для источников лазерного УФ-излучения (λ=258-303нм) с оптической накачкой будет продемонстрирована возможность снижения пороговой плотности оптической мощности до ~150 кВт/см2.