Научно-методический семинар ЛФВЭ №10-2023

Дата и время: четверг, 20 июля 2023 г., в 11:00

Место: корп. 215, ком. 241, Лаборатория физики высоких энергий
им. В.И. Векслера и А.М. Балдина; онлайн в Volna

Информация о семинаре и подключении

1. Тема семинара: «Технологический процесс сборки и тестирования трековых модулей на основе кремниевых двусторонних микрополосковых детекторов»

   Докладчик: Алексей Шереметьев

   Авторы: Алексей Шереметьев, Дмитрий Дементьев, Владимир Леонтьев, Михаил Шитенков, Юрий Мурин

   Аннотация:
   
   

   В статье рассматриваются ключевые технологические этапы изготовления трековых модулей на основе микрополосковых детекторов для широкоапертурной кремниевой трековой станции эксперимента BM@N. Описываются методы нахождения оптимальных параметров ультразвуковой линейной автоматической сварки алюминиевых микрокабелей с кремниевым детектором. Рассматривается методика и приводятся результаты промежуточного тестирования в процессе изготовления трекового модуля. Описывается методика монтажа бескорпусных микросхем на плату. Представлены результаты предсерийной сборки кремниевых трековых модулей.

2. Тема семинара: «Радиационные испытания концентратора данных на базе ПЛИС Artix-7 для кремниевой трековой системы установки BM@N»

   Докладчик: Михаил Шитенков

   Авторы: Михаил Шитенков, Дмитрий Дементьев, Владимир Леонтьев, Алексей Шереметьев, Юрий Мурин

   Аннотация:
   
   

   Целью данной работы является исследование возможности применения ПЛИС Xilinx Artix-7 в системе сбора данных для кремниевой трековой системы эксперимента BM@N. В условиях сравнительно невысоких радиационных загрузок ПЛИС может использоваться в качестве доступной альтернативы линейке радиационно-стойких микросхем GBT, которые в настоящее время применяются в современных экспериментах в области физики высоких энергий в ЦЕРНе, FAIR и др. Данная линейка микросхем предназначена для концентрации данных от многоканальной детекторной электроники и их последующей передачи по оптической линии связи к электронным блокам постобработки данных. В работе представлены результаты исследований чувствительности выбранной ПЛИС к протонам с энергией 1 ГэВ, оценена частота сбоев конфигурационной (CRAM) и блочной статической памяти (BRAM) в условиях применения данного технического решения в эксперименте BM@N в рамках реализации физической программы исследования взаимодействий тяжелых ионов. Также в работе приводятся результаты исследования эффективности внедренных методов коррекции ошибок в конфигурационной памяти ПЛИС.