VBLHEP Scientific and Methodical Seminar No. 10-2023

Date and Time: Thursday, 20 July 2023, at 11:00 AM

Venue: bld. 215, room 241, Veksler and Baldin Laboratory of High Energy Physics; online on Volna

Information about seminar and link to join online

1. Seminar topic: “Technological process of assembling and testing track modules based on two-sided silicon microstrip detectors”

   Speaker: Aleksei Sheremetev

   Authors: Aleksei Sheremetev, Dmitrii Dementev, Vladimir Leontyev, Mikhail Shitenkov, Yuri Murin

   Abstract:
   
   

   В статье рассматриваются ключевые технологические этапы изготовления трековых модулей на основе микрополосковых детекторов для широкоапертурной кремниевой трековой станции эксперимента BM@N. Описываются методы нахождения оптимальных параметров ультразвуковой линейной автоматической сварки алюминиевых микрокабелей с кремниевым детектором. Рассматривается методика и приводятся результаты промежуточного тестирования в процессе изготовления трекового модуля. Описывается методика монтажа бескорпусных микросхем на плату. Представлены результаты предсерийной сборки кремниевых трековых модулей.

2. Seminar topic: “Radiation testing of data concentrator based on Artix-7 PLD for silicon track system of BM@N facility”

   Speaker: Mikhail Shitenkov

   Authors: Mikhail Shitenkov, Dmitrii Dementev, Vladimir Leontyev, Aleksei Sheremetev, Yuri Murin

   Abstract:
   
   

   Целью данной работы является исследование возможности применения ПЛИС Xilinx Artix-7 в системе сбора данных для кремниевой трековой системы эксперимента BM@N. В условиях сравнительно невысоких радиационных загрузок ПЛИС может использоваться в качестве доступной альтернативы линейке радиационно-стойких микросхем GBT, которые в настоящее время применяются в современных экспериментах в области физики высоких энергий в ЦЕРНе, FAIR и др. Данная линейка микросхем предназначена для концентрации данных от многоканальной детекторной электроники и их последующей передачи по оптической линии связи к электронным блокам постобработки данных. В работе представлены результаты исследований чувствительности выбранной ПЛИС к протонам с энергией 1 ГэВ, оценена частота сбоев конфигурационной (CRAM) и блочной статической памяти (BRAM) в условиях применения данного технического решения в эксперименте BM@N в рамках реализации физической программы исследования взаимодействий тяжелых ионов. Также в работе приводятся результаты исследования эффективности внедренных методов коррекции ошибок в конфигурационной памяти ПЛИС.