Теоретико-полевые эффекты в физике конденсированного состояния вещества
Семинары
Объединенный Семинар «Квантовая теория поля» и «Статистическая механика»
Дата и время: среда, 24 октября 2018 г., в 11:00
Место: Конференц-зал им. Блохинцева (4-й этаж), Лаборатория теоретической физики им. Н.Н. Боголюбова
Тема семинара: «Теоретико-полевые эффекты в физике конденсированного состояния вещества»
Докладчик: Олег Павловский (Физический факультет МГУ имени М.В. Ломоносова)
Аннотация:
Доклад основан на материалах готовящейся докторской диссертации и посвящен исследованиям теоретико-полевых эффектов, эффектов сильной связи, нелокальных явлений в физике конденсированного состояния вещества. Исследования проводились как аналитическими методами, так и с помощью методов Монте-Карло моделирования. В качестве введения в методы исследования, в первой части доклада в рамках квантовой теории многих тел будут рассмотрены вопросы фазовых состояний плотного металлического водорода. Далее будет рассказано про исследование вакуумных эффектов в физике наноструктур и статистических моделях. Особое внимание будет уделено казимировскому взаимодействию дефектов в статистических моделях. Далее с помощью методов Монте-Карло рассмотрены задачи о фазовом поведении графена и графеновых нанолент, исследовано влияние на электронные свойства графена внешних факторов, а также дефектов структуры. Такие дефекты структуры графена – графеновые наноточки – могут стать основой для создания базового элемента квантового компьютера, Q-бита. Будет показано, что системы таких двойных наноточек могут быть использованы для создания искусственных нейронных сетей. Далее рассматриваются заряженные дефекты в графене. Показано, что такие дефекты приводят к появлению искусственных «атомов», «ядром» которых являются заряженные дефекты, а электронами – квазичастицы электронных возбуждений в графене. Показано, что в таких искусственных «атомах» может быть наблюдено явление критического заряда, приводящее к возникновению нетривиального распределения электронной плотности на поверхности графена. Будет рассказано об исследовании этого явления в присутствии сильного внешнего магнитного поля, а также о возможном применении этого явления в электронике и спинтронике.