Field-theoretical effects in condensed matter physics

Seminars

Joint Seminar of the themes “Quantum field theory” and “Statistical mechanics”

Date and Time: Wednesday, 24 October 2018, at 11:00 AM

Venue: Blokhintsev Hall (4th floor), Bogoliubov Laboratory of Theoretical Physics

Seminar topic: «Field-theoretical effects in condensed matter physics»

Speaker: Oleg Pavlovsky (Physical Department, MSU)

Abstract:

Доклад основан на материалах готовящейся докторской диссертации и посвящен исследованиям теоретико-полевых эффектов, эффектов сильной связи, нелокальных явлений в физике конденсированного состояния вещества. Исследования проводилиaсь как аналитическими методами, так и с помощью методов Монте-Карло моделирования. В качестве введения в методы исследования, в первой части доклада в рамках квантовой теории многих тел будут рассмотрены вопросы фазовых состояний плотного металлического водорода. Далее будет рассказано про исследование вакуумных эффектов в физике наноструктур и статистических моделях. Особое внимание будет уделено казимировскому взаимодействию дефектов в статистических моделях. Далее с помощью методов Монте-Карло рассмотрены задачи о фазовом поведении графена и графеновых нанолент, исследовано влияние на электронные свойства графена внешних факторов, а также дефектов структуры. Такие дефекты структуры графена – графеновые наноточки – могут стать основой для создания базового элемента квантового компьютера, Q-бита. Будет показано, что системы таких двойных наноточек могут быть использованы для создания искусственных нейронных сетей. Далее рассматриваются заряженные дефекты в графене. Показано, что такие дефекты приводят к появлению искусственных «атомов», «ядром» которых являются заряженные дефекты, а электронами – квазичастицы электронных возбуждений в графене. Показано, что в таких искусственных «атомах» может быть наблюдено явление критического заряда, приводящее к возникновению нетривиального распределения электронной плотности на поверхности графена. Будет рассказано об исследовании этого явления в присутствии сильного внешнего магнитного поля, а также о возможном применении этого явления в электронике и спинтронике.