Study of radiation resistance of semiconducting detector based on high-resistant gallium arsenide under the irradiation with electrons and fast neutrons

Seminars

Dzhelepov Laboratory of Nuclear Problems

Scientific and Methodical Seminar

Date and Time: Thursday, 3 June 2021, at 11:00 AM

Venue: Online conference in Zoom

Seminar topic: “Study of radiation resistance of semiconducting detector based on high-resistant gallium arsenide under the irradiation with electrons and fast neutrons”

Speaker: V. G. Kruchenok

Abstract:

Современные эксперименты в физике высоких энергий предъявляют высокие требования к радиационной стойкости детекторов. Одним из перспективных направлений при создании таких детекторов является использование новых полупроводниковых материалов, таких как высокоомный арсенид галлия, легированный хромом (GaAs:Cr). В работе представлены результаты систематического исследования радиационной стойкости опытных образцов детекторов на основе высокоомного арсенида галлия при облучении быстрыми нейтронами до флюенса 3.7 × 1016 см-2 на реакторе ИБР-2 (ЛНФ, ОИЯИ), а также электронами 21 МэВ до дозы 1.5 МГр на ускорителе ЛИНАК-200 (ЛЯП, ОИЯИ). Были измерены эффективность сбора заряда и вольтамперные характеристики облученных детекторов, проведено сравнение их радиационной стойкости в потоках электронов и быстрых нейтронов. Представлены результаты первых выполненных на ускорителе ЛИНАК-200 работ по энергетической калибровке детекторов одиночными электронами и применению ускорителя для облучения детекторов в диапазоне энергий до 25 МэВ. Представлены результаты, полученные с использованием матричных детекторов из GaAs:Cr в прототипе калориметра FCAL для коллайдеров ILC, FCC и CLIC.

(Based on the candidate’s thesis)

Record of the seminar by V. G. Kruchenok, 03.06.21