Метод позитронной аннигиляционной спектроскопии (ПАС) чувствителен к точечным дефектам в твердом теле. Пара гамма-квантов, рожденных в результате процесса позитрон-электронной аннигиляции, несет информацию о виде концентрации дефектов размерами менее 10 нм на глубине до 1 мкм (в плотных материалах) и до 15 мкм (для легких материалов), зависящей от энергии позитронов.

Установка ПАС в Лаборатории ядерных проблем ОИЯИ обладает двумя уникальными особенностями:

• высокая монохроматичность потока позитронов: ширина спектра (FWHM) на выходе источника позитронов составляет 1,5–2 эВ;
• энергия позитронов на мишени может варьироваться в интервале 0–30 кэВ, что позволяет проводить исследования структуры материалов.

Ввод в действие установки ПАС ЛЯП ОИЯИ позволил существенно увеличить возможности исследования структуры различных конструктивных материалов, что расширяет границы их применений.

(Based on the Candidate’s thesis.)