Study of pixel arsenids of gallium detectors on the basis of the Timepix microchip

Seminars

Date and Time: Friday, 22 December 2017, at 11:00 AM

Venue: Conference Hall, Dzhelepov Laboratory of Nuclear Problems

Seminar topic: «Study of pixel arsenids of gallium detectors on the basis of the Timepix microchip»

Speaker: P.I.Smolyanskiy

Abstract:

В последнее время все более широкое применение в различных областях науки, где от детекторов ионизирующих излучений требуется высокое пространственное разрешение и низкий уровень шумов, находят гибридные пиксельные полупроводниковые детекторы. Сенсоры большинства таких детекторов изготовлены из кремния Si, который, наряду с неоспоримыми преимуществами, обладает и рядом существенных недостатков, в частности, низкой эффективностью регистрации фотонов с энергией больше 30 кэВ и недостаточной радиационной стойкостью при комнатной температуре. В Лаборатории ядерных проблем ОИЯИ совместно с Томским государственным университетом, коллаборацией Medipix и Чешским техническим университетом (Прага) ведутся работы по созданию гибридных пиксельных детекторов на основе альтернативного кремнию более тяжелого материала – арсенида галлия.
В докладе представлены основные результаты, полученные в ходе работ по исследованию свойств пиксельных арсенид галлиевых детекторов на основе электроники считывания Timepix, важные с точки зрения их практического использования: ВАХ, эффективность сбора заряда, эффективность регистрации фотонов, стабильность счетных и спектрометрических характеристик, температурная зависимость, энергетическое и пространственное разрешение.

(Following materials of the Candidate Thesis)