Radiation damages in silicon photomultipliers (SiPM) made by irraditation with fast neutrons
Seminars
VBLHEP Scientific and Methodical Seminar #1
Date and Time: Thursday, 7 February 2019, at 11:00 AM
Venue: bld. 215, room 347, Veksler and Baldin Laboratory of High Energy Physics
Seminar topic: «Radiation damages in silicon photomultipliers (SiPM) made by irraditation with fast neutrons»
Speaker: Nikolay I. Zamyatin
Abstract:
Широкое применение SiPM в технике физического эксперимента (калориметрия в физике высоких энергий на современных ускорителях) требует информации о поведении данных приборов в условиях радиации и границ применимости их. Представлены экспериментальные результаты изменения (деградации) основных параметров SiPM после облучения быстрыми нейтронами. Фотоприемники трех типов S12571-010C, S12571-015C и S13360-1325CS фирмы HPK (HAMAMATSU) были облучены быстрыми нейтронами на канале №3 ИБР-2М при значениях флюенса (эквивалентного 1 МэВ/Si) от 1011 см-2 до 3.5×1014см-2. Приводятся основные параметры (Fdark, Ubr, Id(Ф), Cpixel, noise и др.) для SiPM до- и после- облучения нейтронами. Обсуждаются вопросы практического
применения SiPM в экспериментах с высокими радиационными полями, где фотодетекторы будут радиационно повреждаться и необходимо будет уметь работать с повреждаемыми SiPM. Показан механизм радиационных повреждений объема SiPM и сделан пессимистический прогноз в повышении радиационной стойкости приборов данного типа.